旭化成于1983年通过采用薄膜InSb与铁氧体相结合的膜霍结构等技术 ，2020年IEEE主席兼名古屋大学名誉教授福田敏男先生等嘉宾出席 。尔元员工及各位相关人士 ，商纪念将成为激励我们不断前行的业化仪式动力 。以庆祝公司于1983年实现商业化的认证"薄膜霍尔元件商业化"项目获得IEEE里程碑认证，我们深感荣幸 。旭化今后 ，成微程碑
基于该技术开发的电延霍尔传感器产品累计出货量已超过500亿颗 。并为磁传感器在民用及工业领域的冈举普及作出了贡献的技术成就 。AKM总经理栗田）
授予仪式由IEEE福冈分部主办 ，办qt薄法定代表人总经理 ：栗田直幸 、我们将把传承至今的技术和勇于挑战的精神传递给下一代，存储设备 、对于获得认证的技术成就 ，为磁传感技术发展持续作出贡献～
东京2026年10月9日 /美通社/ -- 旭化成微电子株式会社（总公司 ：日本东京 、HW-101A）" />
薄膜霍尔元件（从左至右 ：HW-300A、同时 ，HW-101A）
IEEE Logo ※IEEE（电气电子工程师学会）是全球规模最大的专家组织之一，详情如下 。实现兼具高灵敏度和量产能力的薄膜霍尔元件 ，实现了兼具高灵敏度与量产能力的薄膜霍尔元件"HW系列"的商业化 。致以衷心的感谢 。致力于推动科学技术发展并回馈社会 。用于表彰在电气 、HW-300B 、学术界、
通过制定国际标准 、
IEEE里程碑认证铭牌
薄膜霍尔元件与磁传感器
霍尔元件是一种能够检测磁场并将其转换为电信号的电子元件 ，由于能够以非接触方式检测电机的旋转
、致力于推动电气电子工程 、AKM总经理栗田）" />
IEEE里程碑认证铭牌授予仪式现场（左起 ：福田先生
、同时
，举办技术会议等方式，介绍了IEEE里程碑的意义以及薄膜霍尔元件的商业化历程。部件的位置以及电流等 ，IEEE以及旭化成集团的相关人士也出席了本次活动 。并通过传感技术持续创造新的价值
。因此被广泛应用于各种电子设备及工业设备
。通信
、历经40余年不断进化的技术 。HW-300B
、
～自1983年实现商业化以来40余年，
此次认证主要表彰了AKM通过采用薄膜InSb（锑化铟）与铁氧体相结合的结构等技术 ，
纪念仪式邀请了延冈市市长三浦久知先生 、来自行政机构、量产化以及多年来为产品品质与可靠性付出努力的前人、
旭化成微电子株式会社 法定代表人总经理 栗田直幸表示 ：
"此次AKM'薄膜霍尔元件商业化'获得IEEE里程碑认证 ，"
关于IEEE里程碑认证
IEEE里程碑是由IEEE设立的一项荣誉制度 ，
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